Электронный каталог СКУНБ им. Лермонтова

Статья


Исследование зависимости морфологии нанокластеров Ge/Si (100), полученных методом ионно-лучевого осаждения, от условий роста : [вследствие огромных перспектив использования наногетероструктур с квантовыми точками в современном приборостроении, возникает повышенный интерес к изучению способов и условий их формирования. Проведено исследование зависимости параметров морфологии нанокластеров Ge, выращенных на поверхности Si (100) методом ионно-лучевого осаждения, от параметров ростового процесса] / Ф. Ф. Малявин, Д. С. Кулешов, В. А. Лапин // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки.– 2013.– № 2 (171).– С. 90-92.


-- 1. Полупроводниковые материалы. 2. Ставропольский край – Вузы – СКФУ.