Электронный каталог СКУНБ им. Лермонтова

Статья


Сингх, И. В.
Уточненная модель МОП транзистора с частичным перекрытием затвора и проектирование малошумящего усилителя для ВЧ диапазона / И. В. Сингх // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника.– 2013.– Т.56, № 6.– С. 3-18.

Предложена уточненная модель полевого SOI МОП транзистора с частичным перекрытием затвора по 90 нм технологии, которая учитывает неквази-статические и внешние паразитные эффекты.


-- 1. Радиоэлектроника.