Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в Si и GaAs при пикосекундном...
Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в Si и GaAs при пикосекундном...
Статья
Автор:
Доклады Академии наук СССР: Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в Si и GaAs при пикосекундном...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Доклады Академии наук СССР: Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в Si и GaAs при пикосекундном...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в Si и GaAs при пикосекундном возбуждении / А. А. Бугаев, [и др.] // Доклады Академии наук СССР.– 1987.– Т. 296, № 5.– С. 1098-1100.
-- 1. Физика.
Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в Si и GaAs при пикосекундном возбуждении / А. А. Бугаев, [и др.] // Доклады Академии наук СССР.– 1987.– Т. 296, № 5.– С. 1098-1100.
-- 1. Физика.