Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Идлис, Б. Г. - Инжекционная неустойчивость в полупроводниковых структурах с p—n-переходом
Идлис, Б. Г. - Инжекционная неустойчивость в полупроводниковых структурах с p—n-переходом
Статья
Автор: Идлис, Б. Г.
Доклады Академии наук СССР: Инжекционная неустойчивость в полупроводниковых структурах с p—n-переходом
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Идлис, Б. Г.
Доклады Академии наук СССР: Инжекционная неустойчивость в полупроводниковых структурах с p—n-переходом
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Идлис, Б. Г.
Инжекционная неустойчивость в полупроводниковых структурах с p—n-переходом / Б. Г. Идлис, О. Д. Кнаб, В. Д. Флоров // Доклады Академии наук СССР.– 1989.– Т. 308, № 3.– С. 601-604.
-- 1. Физика.
Идлис, Б. Г.
Инжекционная неустойчивость в полупроводниковых структурах с p—n-переходом / Б. Г. Идлис, О. Д. Кнаб, В. Д. Флоров // Доклады Академии наук СССР.– 1989.– Т. 308, № 3.– С. 601-604.
-- 1. Физика.
Привязано к:
Выпуск
Доклады Академии наук СССР Т. 308, № 3
1989 г.
ISBN отсутствует
ГБУК СКУНБ им. М.Ю.Лермонтова : ОСН
Доклады Академии наук СССР Т. 308, № 3
1989 г.
ISBN отсутствует
ГБУК СКУНБ им. М.Ю.Лермонтова : ОСН